低功耗物联网LDO-上海明达微

本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年，于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司，已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称，是国家认定的集成电路设计企业。在公司发展历程中积累了丰富的产品设计经验，并形成了完善的生产协作体系，也打下了良好的生产管理基础。公司设计、生产、管理有序，产品质量把关严密，已于2005年通过了ISO9001:2000质量管理体系的认证。公司*销售的产品也达到了一定规模，2006年由上海市科委认定为上海市**企业。

本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年，于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司，已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称，是国家认定的集成电路设计企业。

一.场效应管的基础选型

场效应管有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，场效应管可被看成电气开关。当在N沟道场效应管的栅较和源较间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏较流向源较。漏较和源较之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚场效应管的栅较是个高阻抗端，因此，总是要在栅较加上一个电压。如果栅较为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源较和栅较间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，低功耗物联网LDO，即IDSS。

闪存市场有两个发展方向：一个是容量越来越高，因为系统的功能越来越多，功能多软件就多，软件多则需要容量多，所以需要65nm、45nm、32nm技术。另一个是功能要好，读取速度需要很快。

此外，闪存有两种做法，一种做法是Floating-Gate，一种是电荷捕获技术。早在1998年，Spansion就开始开发MirrorBit电荷捕获技术，在浮栅技术之外另辟蹊径进行技术升级。在Spansion成功开发出32nm技术后，MirrorBit技术已经演化了7个代际。

近期，Spansion还推出了业界采用45nm技术的8GbNOR闪存，在嵌入式应用的并行和串行闪存产品领域持续业界且保持高的密度和性能。今后，Spansion将推出更多45nmNOR闪存产品。