如今**掀起*三次工业革命,借助外力的助推,再加上中国电子企业自身的努力,“中国制造”一定能走向“中国智造”。
TDK:定制化服务满足多样化需求
“在智能手机、汽车电子以及智能电网等应用领域,都面临一些新的洗牌和转机,需要因地制宜。”
TDK近日推出一系列新的电子元件产品,包括TDK和爱普科斯(EPCOS)的电容器、电感、声表面波元件和电子保护元件。为进军智能手机、汽车电子以及智能电网和太阳能等领域,TDK也做出了相应的企业策略和市场布局调整。
本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年,于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司,已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称,是国家认定的集成电路设计企业。
一.场效应管的基础选型
场效应管有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,场效应管可被看成电气开关。当在N沟道场效应管的栅较和源较间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏较流向源较。漏较和源较之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚场效应管的栅较是个高阻抗端,因此,总是要在栅较加上一个电压。如果栅较为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源较和栅较间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即IDSS。
场效应管的选型及应用概览 场效应管广泛使用在模拟电路与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首**动电路比较简单。
开关损耗其实也是一个很重要的指标。从下图可以看到,导通瞬间的电压电流乘积相当大。一定程度上决定了器件的开关性能。不过,如果系统对开关性能要求比较高,可以选择栅较电荷QG比较小的功率MOSFET。