上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是:抗干扰能力强,抗静电能力强,电参数性能稳定,上机率高,工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌,拓宽销售市场,让客户用得满意,用的放心。
LDO的电路原理及特性:
原则上,只要有线性特性的器件都可以,所以BJT和MOSFET都可以,但是BJT主要因为它是电流控制型不符合低功耗的要求,而且驱动电流比较大,所以Vin和Vout的差值还是太高,所以现在都采用MOSFET。至于该采用NMOS还是PMOS主要还是取决于压差,通常选用PMOS。因为PMOS的dropout电压是就是饱和压降,大约是200mV,而NMOS由于drop-out电压受到了误差放大器输出电压的限制(误差放大器的输出电压较为大只能达到其电源电压,即LDO的输入电压),所以drop-out电压大小为NMOS的Vgs,所以就没有PMOS的优势了。当然也可以引入charge-pump提高误差放大器的电源电压来解决但是提高了复杂度和成本,但是NMOS调整管的PSRR(电源抑制比)比PMOS好。
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LDO的电路原理及特性:
LDO的核心在于圆圈里面的晶体管(可以是MOSFET也可以是BJT),为什么叫做线性稳压源其实就是利用了晶体管工作在线性区,能够通过控制栅较电压来控制沟道电阻从而达到控制输出电压的目的,所以Vout=Vin-I*Rlin。但是它只能实现减压,轨到轨低功耗运算放大器,不能实现升压,如果升压你就只能选择DC-DC或者charge pump了。
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低压差线性稳压器的典型电路是一种较常见的AC/DC电源,交流电源电压经变压器后,变换成所需要的电压,该电压经整流后变为直流电压。在该电路中,低压差线性稳压器的作用是:在交流电源电压或负载变化时稳定输出电压,抑制纹波电压,消除电源产生的交流噪声。