湖州NBIOT****低功耗LDO-明达微电子

本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年，于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司，已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称，是国家认定的集成电路设计企业。

上海明达荣获2014年度供应商

上海明达微电子有限公司荣获UTC秦皇岛安全技术有限公司授予:

2014年度供应商----成本贡献奖。

闪存市场有两个发展方向：一个是容量越来越高，因为系统的功能越来越多，功能多软件就多，软件多则需要容量多，所以需要65nm、45nm、32nm技术。另一个是功能要好，读取速度需要很快。

此外，闪存有两种做法，一种做法是Floating-Gate，一种是电荷捕获技术。早在1998年，Spansion就开始开发MirrorBit电荷捕获技术，在浮栅技术之外另辟蹊径进行技术升级。在Spansion成功开发出32nm技术后，MirrorBit技术已经演化了7个代际。

近期，NBIOT****低功耗LDO，Spansion还推出了业界采用45nm技术的8GbNOR闪存，在嵌入式应用的并行和串行闪存产品领域持续业界且保持高的密度和性能。今后，Spansion将推出更多45nmNOR闪存产品。

本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年，于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司，已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称，是国家认定的集成电路设计企业。

 近年来，随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用场效应管产品的行业在近几年来得到了快速的发展，功率场效应管更是备受关注。据预测，2010-2015年中国功率MOSFET市场的总体复合年度增长率将达到13.7%。 虽然市场研究公司 iSuppli 表示由于宏观的投资和经济政策和日本带来的晶圆与原材料供应问题，今年的功率场效应管市场会放缓，但消费电子和数据处理的需求依然旺盛，因此长期来看，功率场效应管的增长还是会持续一段相当长的时间。