舟山轨到轨低功耗运算放大器-上海明达微电子

LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。

更新的发展使用 CMOS 功率晶体管，它能够提供低的压降电压。使用 CMOS，通过稳压器的电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。

“未来，电子产品的世界生产基地一定是在中国。”孙哲仁谈到中国市场的潜力。

中国内需市场是非常大的，中国半导体和电子产品的市场布局已经非常完整，这些厂商足以供应全世界的需求。只要持续保持中国的这些竞争优势，其他企业就没有理由再到其他地区投入几百亿元。

当中国市场地位的布局完成后，电子产业是中国的重要支柱。半导体产业链上上下下要齐心协力把生产质量提高，要朝“高品质”方向发展。

孙哲仁说：“中国生产的产品，一定要与高品质联系起来，轨到轨低功耗运算放大器，让madeinChina产品成为高品质的象征。”

闪存市场有两个发展方向：一个是容量越来越高，因为系统的功能越来越多，功能多软件就多，软件多则需要容量多，所以需要65nm、45nm、32nm技术。另一个是功能要好，读取速度需要很快。

此外，闪存有两种做法，一种做法是Floating-Gate，一种是电荷捕获技术。早在1998年，Spansion就开始开发MirrorBit电荷捕获技术，在浮栅技术之外另辟蹊径进行技术升级。在Spansion成功开发出32nm技术后，MirrorBit技术已经演化了7个代际。

近期，Spansion还推出了业界采用45nm技术的8GbNOR闪存，在嵌入式应用的并行和串行闪存产品领域持续业界且保持高的密度和性能。今后，Spansion将推出更多45nmNOR闪存产品。